{"id":12678,"date":"2014-01-04T12:52:19","date_gmt":"2014-01-04T11:52:19","guid":{"rendered":"http:\/\/www.lte-anbieter.info\/lte-news\/?p=12678"},"modified":"2019-02-20T15:20:56","modified_gmt":"2019-02-20T14:20:56","slug":"chip-forschung-verdopplung-von-lte-datenuebertragungsraten","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.lte-anbieter.info\/lte-news\/chip-forschung-verdopplung-von-lte-datenuebertragungsraten","title":{"rendered":"Chip-Forschung: Verdopplung von LTE-Daten\u00fcbertragungsraten"},"content":{"rendered":"<p>Ein europ\u00e4ische Forschungsprojekt unter dem Namen UTTERMOST (\u201eUltimate Enablement Research on 32\/28 nm CMOS Technologies) wurde k\u00fcrzlich mit Erfolg beendet. Gegenstand des Projektes war die Entwicklung von Mikroelektronikprodukten, die Strukturbreiten von 32\/28 nm aufweisen. Die Ergebnisse des Projektes tragen unter anderem dazu bei, dass eine verdoppelte Daten\u00fcbertragungsrate in Mobilfunknetzwerken erreicht werden kann.<!--more--><\/p>\n<h2>Gegenstand des Forschungsprojekts \u201eUTTERMOST\u201c<\/h2>\n<p>Koordiniert wurde das Team der deutschen Forscher von &#8222;Intel Mobile Communications&#8220;. Intel Mobile Communications fertigt und vertreibt innovative Halbleiterprodukte und individuelle Entwicklungen f\u00fcr den Mobilfunk-Kommunikationsbereich.<\/p>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<p>Im Rahmen des Projektes UTTERMOST wurde die Basis f\u00fcr die Konzeption und Fabrikation von Halbleiterbausteinen (so genannten \u201eICs\u201c) f\u00fcr den Einsatz von Strukturbreiten von 32\/28 Nanometer geschaffen. Mikroelektronik-Produkte mit diesen Strukturbreiten tangieren vielf\u00e4ltige gesellschaftliche Teilbereiche, wie beispielsweise die Medizin, Kommunikation und viele weitere.<\/p>\n<h2>Doppelte LTE-Daten\u00fcbertragungsrate in mobilen Netzwerken<\/h2>\n<p>Die Mikroelektronik-Innovationen, die aus dem Projekt entstanden sind, werden schon verwendet um h\u00f6here Daten\u00fcbertragungsraten zu erzielen, beispielsweise in LTE-Modems. Ab 2014 wird die n\u00e4chste Generation Funkchips soll erstmals hochmoderne Standards, wie den \u201e<a href=\"https:\/\/www.lte-anbieter.info\/lte-advanced\/\" data-internallinksmanager029f6b8e52c=\"10\" title=\"alles \u00fcber LTE-Advanced erfahren\">LTE Advanced<\/a> Standard\u201c unterst\u00fctzen. <a href=\"https:\/\/www.lte-anbieter.info\/lte-provider\/vodafone\/vodafone-lte.php\" data-internallinksmanager029f6b8e52c=\"33\" title=\"Vodafone LTE- und 5G-Tarife zeigen\">Vodafone<\/a> und <a href=\"https:\/\/www.lte-anbieter.info\/lte-provider\/o2\/o2-lte.php\" data-internallinksmanager029f6b8e52c=\"34\" title=\"O2 LTE- und 5G-Tarife zeigen\">O2<\/a> k\u00fcndigten ja bereits Ende letzten Jahres an, noch 2014 mit der Einf\u00fchrung des noch schnelleren LTE-A <a href=\"https:\/\/www.lte-anbieter.info\/lte-news\/lte-advanced-vodafone-startet-mit-dem-ausbau\">beginnen zu wollen<\/a>. Die Reduzierung der Strukturbreite von 40 auf 28 Nanometer bewirkt dabei, dass wesentliche Funktionen verbessert werden k\u00f6nnen. Unter anderem durch optimierte Energieeffizienz, lassen l\u00e4sst sich Auf diese Weise mittelfristig eine Verdopplung der LTE-Daten\u00fcbertragungsrate in mobilen Netzwerken erreichen. Netztechnisch bedeutet das in erster Linie die Unterst\u00fctzung des CAT6-Ger\u00e4testandards. <\/p>\n<h2>Innovationstreiber: Mikroelektronik<\/h2>\n<p>Diese mikroelektronischen Elemente dienen in vielen Disziplinen als innovative Treiber f\u00fcr neue und leistungsstarke Produkte und sind ein wesentlicher Erfolgsfaktor f\u00fcr die europ\u00e4ische Industrie. Daher wohl auch die F\u00f6rderung des Bundesministeriums f\u00fcr Bildung und Forschung mit nahezu 7 Millionen Euro.<\/p>\n<div class=\"quellenews2\">\nQuelle: https:\/\/newsroom.intel.de\n<\/div>\n<div style='text-align:center' class='yasr-auto-insert-visitor'><\/div>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Ein europ\u00e4ische Forschungsprojekt unter dem Namen UTTERMOST (\u201eUltimate Enablement Research on 32\/28 nm CMOS Technologies) wurde k\u00fcrzlich mit Erfolg beendet. Gegenstand des Projektes war die Entwicklung von Mikroelektronikprodukten, die Strukturbreiten von 32\/28 nm aufweisen. 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